特許

J-GLOBAL ID：200903074631902200

半導体装置およびその製造方法

発明者： 山本 武雄 ,  丸汎 ラジェシュ クマール ,  竹内 有一 ,  ニコラス ライト ,  コンスタンティン ヴァシレヴスキ
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  ユニバーシテイ・オブ・ニユーキヤツスル
代理人 (1件)： 矢作 和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-167401
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344688
出願日： 2005年06月07日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】炭化珪素(SiC)基板との良好なオーミック特性が確保され、剥がれやダメージが抑制された表面メタライズ構造を有するSiC半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】SiC基板1を用いた半導体装置10であって、SiC基板1の表面において、第1金属の珪化物層11aと第2金属の炭化物層12aが、順次形成されてなり、前記第1金属が、ニッケル(Ni)もしくはニッケル(Ni)合金であり、前記第2金属が、チタン(Ti),タンタル(Ta)もしくはタングステン(W)である半導体装置10とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素(SiC)基板を用いた半導体装置であって、 前記SiC基板の表面において、第1金属の珪化物層と第2金属の炭化物層が、順次形成されてなり、 前記第1金属が、ニッケル(Ni)もしくはニッケル(Ni)合金であり、 前記第2金属が、チタン(Ti),タンタル(Ta)もしくはタングステン(W)であることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/28

FI (1件)：

H01L21/28 301B

Fターム (16件)：

4M104AA03 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB21 ,  4M104BB34 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-140864   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-154267   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263506   出願人：株式会社東芝