半導体装置の配線構造の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-246263
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078786
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】均一な膜厚を有するバリアメタル層を形成することができ、しかも、一層高温の処理に耐えることができる優れたバリア性を有する接続孔を形成し得る、半導体装置の配線構造の形成方法を提供する。【構成】半導体装置の配線構造の形成方法は、(イ)下層導体層12が形成された基体10上に絶縁層14を形成した後、開口部16を形成し、(ロ)全面に金属層40を形成し、(ハ)酸素を含まないガスの雰囲気中で金属層40のアニール処理を行い、次いで、酸素を含むガスの雰囲気中で金属層40の酸化処理を行って金属層40の表面に金属酸化物層44を形成し、以って金属層40及び金属酸化物層44から成るバリアメタル層を形成し、(ニ)高温アルミニウムスパッタ法又はアルミニウムリフロー法にてバリアメタル層上にアルミニウム系合金層30を全面に形成する工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)下層導体層が形成された基体上に絶縁層を形成した後、該下層導体層上の絶縁層に開口部を形成する工程と、(ロ)該開口部内を含む絶縁層上に金属層を形成する工程と、(ハ)該金属層上に金属化合物層を形成する工程と、(ニ)酸素を含まないガスの雰囲気中で金属化合物層のアニール処理を行う工程と、(ホ)酸素を含むガスの雰囲気中で該金属化合物層の酸化処理を行って該金属化合物層の表面に金属酸化物層を形成し、以って金属層、金属化合物層及び金属酸化物層から成るバリアメタル層を形成する工程と、(へ)高温アルミニウムスパッタ法又はアルミニウムリフロー法にて開口部内及びバリアメタル層上にアルミニウム系合金層を堆積させて開口部をアルミニウム系合金層で埋め込み、次いで、絶縁層上の該アルミニウム系合金層及びバリアメタル層を所望の形状にパターニングしてアルミニウム系合金層及びバリアメタル層から成る上層配線を形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置の配線構造の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/203 , H01L 21/316 , H01L 21/768

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平2-249273
配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-360529 出願人：ソニー株式会社
特開平4-264719

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