特許
J-GLOBAL ID：201303036418363072

トランジスタ及び半導体装置

発明者：
津吹 将志

津吹 将志 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-255559
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138185
出願日： 2012年11月21日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：
【課題】酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタのスイッチング特性を改善する。【解決手段】酸化物半導体層の端部に寄生チャネルが形成されるのは、当該端部と電気的に接続されるトランジスタのソース及びドレインが存在するからである。すなわち、当該端部とトランジスタのソース及びドレインの少なくとも一方が電気的に接続されていなければ当該端部に寄生チャネルは形成されない。よって、トランジスタのソース及びドレインの少なくとも一方と、酸化物半導体層の端部とが電気的に接続されない又は接続される蓋然性を低減することが可能な構造のトランジスタを提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲートと、 前記ゲート上に設けられたゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を介して前記ゲートと重畳する酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上のソース及びドレインと、を有し、 前記ソース及び前記ドレインの少なくとも一方が前記酸化物半導体層の端部と接していないトランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  G02F 1/136
FI (7件)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/44 L ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  G02F1/1368
Fターム (102件)：
2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JA39 ,  2H092JA42 ,  2H092JA43 ,  2H092JA44 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092NA23 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF11 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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