特許

J-GLOBAL ID：200903014798407216

薄膜トランジスタ及び半導体デバイスの作製方法

発明者： 広瀬 篤志
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-116965
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352087
出願日： 2006年04月20日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】液滴吐出法などのマスクレスプロセスを用いて円形薄膜トランジスタを作製することにより、工程の簡略化、作製時間の短縮、及び作製費用の低減を図ると共に、従来よりもその形状が制御された円形薄膜トランジスタの作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】液滴吐出法等のマスクレスプロセスを用いて、基板上に同心円状の薄膜を積層し、円形の電極を有する円形薄膜トランジスタを形成する。また、液滴吐出法等のマスクレスプロセスを用いて、基板上に同心円状の薄膜を積層し、円形の半導体層を有する円形薄膜トランジスタを形成してもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上の一部に第1の絶縁層を液滴吐出法により形成し、 前記第1の絶縁層上に第1の撥液層を液滴吐出法により形成し、 前記基板上の一部に前記第1の絶縁層に接して第1の導電層を液滴吐出法により形成し、 前記第1の撥液層及び前記第1の導電層上の一部に第2の撥液層を液滴吐出法により形成し、 前記第1の導電層及び前記基板上であり、前記第2の撥液層に接するように第2の絶縁層を液滴吐出法により形成し、 前記第1の撥液層及び前記第2の撥液層を除去し、前記第1の絶縁層上の一部に第3の撥液層を形成し、 前記第1の導電層及び前記第2の絶縁層上の一部であり、前記第1の絶縁層及び前記第3の撥液層と接して第2の導電層を形成し、 前記第3の撥液層を除去し、前記第1の絶縁層、前記第2の導電層、及び前記第2の絶縁層上に第3の絶縁層を液滴吐出法により形成し、 前記第3の絶縁層上に第1の半導体層を形成し、 前記第1の半導体層上に一導電型が付与された第2の半導体層を形成し、 前記第2の半導体層上の一部に第1のマスクを液滴吐出法により形成し、 前記第1のマスクを用いて、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層をエッチングして第3の半導体層及び第4の半導体層を形成し、 前記第1のマスクを除去し、前記第4の半導体層上の一部に第3の導電層を液滴吐出法により形成し、 前記第3の導電層上と前記第4の半導体層上の一部に第4の撥液層を液滴吐出法により形成し、 前記第3の半導体層及び前記第4の撥液層と接して前記第4の半導体層上、及び前記第3の絶縁層上の一部に第4の導電層を液滴吐出法により形成し、 前記第4の導電層と接して前記第3の絶縁層上の一部に第5の導電層を液滴吐出法により形成し、 前記第4の撥液層を除去し、前記第3の導電層及び前記第4の導電層をマスクとして前記第3の半導体層の一部及び前記第4の半導体層をエッチングし、第5の半導体層及び第6の半導体層を形成し、 前記第3の導電層上に第5の撥液層を液滴吐出法により形成し、 前記第3の絶縁層、前記第4の導電層、前記第5の導電層、及び前記第5の半導体層上であり、前記第5の撥液層に接して第4の絶縁層を液滴吐出法により形成し、 前記第5の撥液層を除去し、前記第3の導電層及び前記第4の絶縁層に接して第6の導電層を液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/320

FI (9件)：

H01L29/78 627C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 616T ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 B

Fターム (118件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08 ,  4M104HH20 ,  5F033GG00 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ03 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK03 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK16 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033MM21 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE24 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG23 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM04 ,  5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (5件)

• アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-317130   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-101402   出願人：凸版印刷株式会社
• TFTアレイ基板、液晶表示装置、TFTアレイ基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法、並びに電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-207744   出願人：シャープ株式会社
• 有機薄膜トランジスタ素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-046362   出願人：キヤノン株式会社
• ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-240761   出願人：富士写真フイルム株式会社