特許
J-GLOBAL ID:201303037492911479

基板処理装置および基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  五郎丸 正巳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-079913
公開番号(公開出願番号):特開2013-211377
出願日: 2012年03月30日
公開日(公表日): 2013年10月10日
要約:
【課題】ランニングコストを低減しつつ、面内均一性の高い基板処理を実現できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】基板処理装置1は、下方からウエハWを水平姿勢に保持しつつ回転させるための基板下保持機構4と、基板下保持機構4の上方に配置されて、ウエハWを水平姿勢に保持しつつ回転させるための基板上保持機構5とを備えている。基板下保持機構4は、円板状の下スピンベース8を備えている。下スピンベース8の上面11に処理液を供給して、上面に処理液の液膜を形成させるとともに、ウエハWを保持した基板上保持機構5を下降させて、ウエハWの下面を処理液の液膜に接触させる。その後、ウエハWの下面に処理液を用いた処理が施される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の主面と同等かあるいは大径を有し、前記基板の主面の下方に対向し、水平かつ平坦な液保持面を有するプレートと、 前記液保持面に処理液を供給するための処理液供給手段と、 前記基板保持手段および前記プレートを相対的に移動させて、前記基板の主面と前記液保持面とを接近/離反させる移動手段と、 前記処理液供給手段および前記移動手段を制御して、前記処理液供給手段によって前記液保持面に処理液を供給して、前記液保持面に処理液液膜を形成する処理液液膜形成工程と、前記移動手段によって前記基板の主面と前記液保持面とを接近させて、基板の主面を前記処理液液膜に接触させる接触工程と、前記接触工程の後、処理液が前記基板の主面に接液した状態に維持させる接液維持工程とを実行する制御手段とを含む、基板処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/304 ,  H01L 21/306
FI (3件):
H01L21/304 651B ,  H01L21/304 648G ,  H01L21/306 J
Fターム (36件):
5F043AA01 ,  5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE27 ,  5F043EE35 ,  5F157AA03 ,  5F157AA64 ,  5F157AA73 ,  5F157AB02 ,  5F157AB14 ,  5F157AB16 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC04 ,  5F157AC26 ,  5F157BB22 ,  5F157BB66 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157CB14 ,  5F157CB15 ,  5F157CE07 ,  5F157CE10 ,  5F157CE21 ,  5F157CE32 ,  5F157CE52 ,  5F157CF32 ,  5F157CF34 ,  5F157CF42 ,  5F157CF44 ,  5F157CF62 ,  5F157DB02 ,  5F157DB37 ,  5F157DB41 ,  5F157DB45
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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