特許
J-GLOBAL ID：201303037994808515

半導体装置及びその製造方法

発明者：
新美 彰浩

新美 彰浩 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 矢作 和行 ,  野々部 泰平 ,  久保 貴則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-009277
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149796
出願日： 2012年01月19日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】はんだを介して半導体素子と接続された放熱部材の放熱面が露出するように封止樹脂で封止された半導体装置を、従来よりも少ない製造工程で形成する。【解決手段】放熱部材(18,30)は、半導体素子側の一面としてはんだ領域(20a,32a)と非はんだ領域(20b,32b)を有する。接続工程では、はんだの少なくとも1つとして、封止樹脂成形時に軟化する軟化はんだ(36)を用いるとともに、積層体(46)の高さがキャビティ(106)の高さよりも高くなるように軟化はんだ(36)の厚さを確保する。予備加熱工程では、積層体(46)を加熱して軟化はんだ(36)のみを軟化させる。モールド工程では、軟化はんだ(36)を軟化させた状態で、金型の壁面(102a,104a)を放熱部材の放熱面(22,34)に接触させて、軟化はんだ(36)を圧縮変形させつつ型締めを行い、この型締め状態で樹脂(40a)を注入する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
両面に電極を有する半導体素子(14,16)の両面側に放熱部材(18,30)をそれぞれ配置するとともに、はんだ(24,28,36)を介して、前記半導体素子(14,16)と各放熱部材(18,30)とをそれぞれ熱的に接続し、積層体(46)を形成する接続工程と、 前記積層体(46)を金型(100)のキャビティ(106)に配置して前記積層体(46)の積層方向に型締めをし、この型締め状態で前記キャビティ(106)内に樹脂(40a)を注入して、各放熱部材(18,30)に接しつつ前記半導体素子(14,16)及び前記はんだ(24,28,36)を一体的に封止する封止樹脂(40)を成形するモールド工程と、 前記接続工程の後であり、前記金型(100)を型締めする前に前記積層体(46)を予め加熱しておく予備加熱工程と、を備える半導体装置の製造方法であって、 各放熱部材(18,30)は、前記半導体素子側の一面(20,32)として、前記はんだが接触するはんだ領域(20a,32a)と、前記はんだが接触しない領域であって少なくとも一部に前記封止樹脂が接触する非はんだ領域(20b,32b)と、を有し、 前記接続工程では、多層に配置される前記はんだ(24,28,36)の少なくとも1つとして、前記モールド工程の温度で軟化する軟化はんだ(36)を用いるとともに、前記積層方向において、前記積層体(46)の高さ(H1)が、型締め状態の前記キャビティ(106)の高さ(H2)よりも高くなるように、前記軟化はんだ(36)の厚さを確保し、 前記予備加熱工程では、前記積層体(46)を加熱して、前記はんだ(24,28,36)のうち、前記軟化はんだ(36)のみを軟化させ、 前記モールド工程では、前記予備加熱工程により前記軟化はんだ(36)を軟化させた状態で、前記積層方向において前記キャビティ(106)を構成する金型の壁面(102a,104a)を、各放熱部材(18,30)における一面と反対の裏面(22,34)に接触させて、前記軟化はんだ(36)を圧縮変形させつつ型締めを行い、この型締め状態で、前記キャビティ(106)内に樹脂(40a)を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (2件)：
H01L23/36 A ,  H01L23/30 R
Fターム (7件)：
4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109DB02 ,  5F136DA04 ,  5F136DA07 ,  5F136DA22 ,  5F136DA27
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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