特許
J-GLOBAL ID：200903032495946252

半導体装置およびその製造方法

発明者：
池田 良成

池田 良成 について

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吉原 克彦

吉原 克彦 について

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飯塚 祐二

飯塚 祐二 について

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望月 英司

望月 英司 について

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藤井 岳志

藤井 岳志 について

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山下 満男

山下 満男 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-022222
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129886
出願日： 2004年01月29日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】半導体チップと他の構成部材との半田による接合部の信頼性、および半導体チップ以外の構成部材同士の半田による接合部の信頼性を高めること。【解決手段】半導体チップ1の表面に設けられた電極とリードフレーム21とを接合する半田接合層23の厚さを100μm以上の厚さとし、半導体チップ1とリードフレーム21との線膨張係数差に起因して半田接合層23に発生する熱応力と歪みを低減する。また、ヒートシンクと絶縁基板との半田による接合部、および絶縁基板と半導体チップ1との半田による接合部についても同様に、それらを互いに接合する半田接合層の厚さを100μm以上の厚さとし、熱応力と歪みを低減する。ヒートシンクを接合しない場合には、半導体チップ1の表面に設けられた電極とリードフレーム21とを接合する半田接合層23の厚さを50μm以上の厚さとすればよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップの表面に設けられた電極と、該電極の上まで延びるリードフレームとが、100μm以上の厚さの半田接合層を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/60 ,  H01L23/34
FI (2件)：
H01L21/60 321E ,  H01L23/34 A
Fターム (3件)：
5F036AA01 ,  5F036BB16 ,  5F036BC06
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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