特許

J-GLOBAL ID：201303038696276957

超伝導フラーレンナノ材料及びその製造方法

発明者： 竹屋 浩幸 ,  山口 尚秀 ,  高野 義彦 ,  加藤 良栄 ,  若原 孝次 ,  宮澤 薫一
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-279825
公開番号（公開出願番号）：特開2013-129561
出願日： 2011年12月21日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：

【課題】本発明は、直径、厚さ又は長さが1μm未満であり、超伝導特性を発現する超伝導フラーレンナノ材料(超伝導フラーレン細線、超伝導フラーレン薄膜及び超伝導フラーレン微結晶)及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】フラーレン分子結晶11と、前記フラーレン分子結晶中に添加された金属イオンMと、を有し、前記フラーレン分子結晶の直径d11が1μm未満とされ、かつ、前記フラーレン分子結晶には1つ以上の空孔部11cが設けられており、前記金属イオンの添加量がフラーレン分子1個に対して金属イオン6個未満の濃度である超伝導フラーレンナノ材料1を用いることによって前記課題を解決できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フラーレン分子結晶と、前記フラーレン分子結晶中に添加された金属イオンと、を有し、前記フラーレン分子結晶の直径、厚さ又は長さのいずれかが1μm未満とされ、かつ、前記フラーレン分子結晶には1つ以上の空孔部が設けられており、 前記金属イオンの添加量がフラーレン分子1個に対して金属イオン6個未満の濃度であることを特徴とする超伝導フラーレンナノ材料。

IPC (3件)：

C01B 31/02 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

FI (3件)：

C01B31/02 101F ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Fターム (12件)：

4G146AA07 ,  4G146AC02B ,  4G146AD22 ,  4G146CB10 ,  4G146CB13 ,  4G146CB19 ,  4G146CB34 ,  5G321AA98 ,  5G321CA02 ,  5G321CA99 ,  5G321DD02 ,  5G321DD99

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 炭素細線及び炭素細線の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-066141   出願人：東京大学長
• 炭素性化合物における導電率およびその様な化合物を使用する装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-060756   出願人：アメリカンテレフオンアンドテレグラフカムパニー
• アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-163058   出願人：日本電気株式会社
• フラーレン系インターカレーション化合物薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-105993   出願人：日本電気株式会社
• 極短フラーレンナノウィスカーとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-323073   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
• 薄片状炭素結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-081441   出願人：日本板硝子株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 第4章 フラーレンとカーボンナノチューブの基礎物性と可能性