特許
J-GLOBAL ID：201303038701514802
SiC半導体とSiCエピタキシャル成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 徹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-270242
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081695
特許番号：特許第4766642号
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 Siウェーハの表面に、BPのバッファー層を介して、3C-SiCがエピタキシャル成長により形成されていることを特徴とするSiC半導体。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, H01L 21/205
