特許
J-GLOBAL ID:200903015909977358
III族窒化物半導体光デバイス
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
矢口 平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-176399
公開番号(公開出願番号):特開2001-007396
出願日: 1999年06月23日
公開日(公表日): 2001年01月12日
要約:
【要約】【課題】シリコン基板上に、結晶性に優れるIII族窒化物半導体発光部を構成するのに必要な、含硼素III-V族化合物半導体から成る緩衝層を形成する。【解決手段】シリコン基板の表面に多結晶Si層或いは非晶質Si層を形成した上で含硼素III-V族化合物半導体緩衝層を積層する。
請求項(抜粋):
Si単結晶基板上に、発光部として一般式Al<SB>a</SB>Ga<SB>b</SB>In<SB>c</SB>N<SB>q</SB>M<SB>1-</SB><SB>q</SB>(0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、a+b+c=1、Mは窒素以外の第V族元素を表し、0<q≦1)で表記される層を含むIII族窒化物半導体光デバイスにおいて、Si単結晶基板と発光部との間に、多結晶Siから成る障壁層と、含硼素III-V族化合物半導体結晶からなる緩衝層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体光デバイス。
IPC (3件):
H01L 33/00
, H01L 21/203
, H01S 5/343
FI (3件):
H01L 33/00 C
, H01L 21/203 S
, H01S 5/343
Fターム (38件):
5F041AA04
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA25
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA76
, 5F041CA83
, 5F041CA87
, 5F073CA07
, 5F073CB04
, 5F073CB07
, 5F073DA04
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F103AA08
, 5F103BB22
, 5F103DD16
, 5F103GG03
, 5F103HH03
, 5F103KK01
, 5F103KK10
, 5F103LL01
, 5F103LL02
, 5F103LL03
, 5F103LL16
, 5F103LL17
, 5F103NN01
, 5F103NN04
, 5F103NN05
, 5F103PP14
, 5F103PP15
, 5F103RR10
引用特許: