特許
J-GLOBAL ID:201303038837317741

色素増感太陽電池用アノードの製造方法および色素増感太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 内田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-148847
公開番号(公開出願番号):特開2013-016369
出願日: 2011年07月05日
公開日(公表日): 2013年01月24日
要約:
【課題】バックコンタクト電極を容易かつ安価に製造することができるとともに、高い変換効率を有する色素増感太陽電池として実用性に優れる、アノードおよびこれを用いた色素増感太陽電池を提供する。【解決手段】溶射法を用いて透明基板上に多孔質半導体層を形成し、多孔質半導体層上に物理的気相成長法を用いてバックコンタクト電極を形成し、多孔質半導体層に色素を吸着して、色素増感太陽電池用アノードを得る。アノードにカソードを積層し、電解質を充填して色素増感太陽電池を得る。【選択図】なし
請求項(抜粋):
溶射法を用いて透明基板上に多孔質半導体層を形成する多孔質半導体層形成工程と、 該多孔質半導体層上に物理的気相成長法を用いてバックコンタクト電極を形成するバックコンタクト電極形成工程と、 該多孔質半導体層に色素を吸着する色素吸着工程と、 を有することを特徴とする色素増感太陽電池用アノードの製造方法。
IPC (2件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (18件):
5F151AA14 ,  5F151DA10 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5F151FA15 ,  5F151GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE07 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
引用特許:
審査官引用 (3件)

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