気相成長装置の清浄度評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-008327
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149753
出願日： 2012年01月18日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：

【課題】製造されるシリコンエピタキシャルウェーハのデバイス特性異常を抑制できる気相成長装置の清浄度評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコン基板上にエピタキシャル層を気相成長させてモニター用のシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、前記モニター用のシリコンエピタキシャルウェーハの不純物濃度を分析し、該分析した不純物濃度が、Fe濃度が4×109atoms/cm3以下、Ni濃度が1.2×1010atoms/cm3以下、Mo濃度が1×109atoms/cm3以下である場合に、前記気相成長装置を清浄と評価する気相成長装置の清浄度評価方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコン基板上にエピタキシャル層を気相成長させてモニター用のシリコンエピタキシャルウェーハを作製し、前記モニター用のシリコンエピタキシャルウェーハの不純物濃度を分析し、該分析した不純物濃度が、Fe濃度が4×109atoms/cm3以下、Ni濃度が1.2×1010atoms/cm3以下、Mo濃度が1×109atoms/cm3以下である場合に、前記気相成長装置を清浄と評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/44

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/44 J

Fターム (25件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA13 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC05 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF03 , 5F045BB14 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DP04 , 5F045DP28 , 5F045EB15 , 5F045GB11

引用特許：

審査官引用 (4件)

シリコン単結晶基板の評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-213232 出願人：信越半導体株式会社
反応器
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-347343 出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
汚染検出用モニターウェーハ、汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-155740 出願人：信越半導体株式会社

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