特許
J-GLOBAL ID：201303039079926533
基板処理方法及び基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-149367
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016699
出願日： 2011年07月05日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：
【課題】液体処理後の乾燥時のパターン倒壊を抑制した基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、基板処理方法が提供される。前記基板処理方法は、少なくとも主面上に形成された構造体を有する基板を液体によって処理する工程を含む。前記基板処理方法は、前記液体で濡れた状態の前記構造体に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて、前記構造体を支持する支持材を形成する工程をさらに含む。前記基板処理方法は、前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて前記支持材を除去する工程をさらに含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも主面上に形成された構造体を有する基板を液体によって処理する工程と、
前記液体で濡れた状態の前記構造体に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて、前記構造体を支持する支持材を形成する工程と、
前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて前記支持材を除去する工程と、
を備え、
前記支持材は、メタクリル系樹脂材料、スチレン系樹脂材料及びフッ化炭素系材料の少なくともいずれかを含み、
前記支持材を固相から気相へ変化させることは、加熱処理、光照射処理、電子線照射処理、減圧処理、及び、前記支持材と反応するガスを用いた処理の少なくともいずれかを実施して、前記支持材の昇華、分解、及び、反応の少なくともいずれかを行うことを含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304
, H01L 21/027
H01L21/304 651Z
, H01L21/30 569F
5F146LA03
, 5F157AA09
, 5F157AA28
, 5F157AA43
, 5F157AA64
, 5F157AA73
, 5F157AB02
, 5F157AB16
, 5F157AB33
, 5F157AB90
, 5F157AC03
, 5F157BB01
, 5F157BB22
, 5F157CB11
, 5F157CF34
, 5F157CF40
, 5F157CF44
, 5F157CF62
, 5F157DA21
