特許
J-GLOBAL ID：201303039464933095

磁気センサ装置およびその製造方法

発明者：
古市 喬干

古市 喬干 について

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与倉 久則

与倉 久則 について

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矢野 敏史

矢野 敏史 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-096696
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012716
出願日： 2012年04月20日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：
【課題】1つの基板に形成した複数の磁気抵抗素子部のピン磁性層を任意の方向に着磁させたとしても、磁気抵抗素子部の検出精度の低下を防止する。【解決手段】基板10に各磁気抵抗素子部22に対応するヒータ部30をそれぞれ形成し、ヒータ部30の上方に各磁気抵抗素子部22を形成する。磁場の向きが基板10の一面13の面方向のうちの第1の方向に設定された磁場中において、一方の磁気抵抗素子部22に対応するヒータ部30を加熱して磁場中アニールを行い、当該磁気抵抗素子部22を構成するピン磁性層22aの磁化の向きを第1の方向に着磁する。続いて、磁場の向きを第1の方向とは異なる第2の方向に設定した磁場中において、他方の磁気抵抗素子部22に対応するヒータ部30を加熱して磁場中アニールを行い、当該磁気抵抗素子部22を構成するピン磁性層22aの磁化の向きを第2の方向に着磁する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一面(13、15、18)を有する基板(10、14、16)と、 外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層(22c)と、磁化の向きが固定されたピン磁性層(22a)と、を有し、前記基板(10、14、16)の一面(13、15、18)の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部(22)と、を備え、 前記複数の磁気抵抗素子部(22)には前記基板(10、14、16)の一面(13、15、18)に平行な面方向において前記ピン磁性層(22a)の磁化の向きが異なるものが含まれており、 前記各磁気抵抗素子部(22)が外部の磁場の影響を受けたときの前記各磁気抵抗素子部(22)の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置の製造方法であって、 前記基板(10、14、16)を用意する工程と、 前記基板(10、14、16)の一面(13、15、18)の上方に前記各磁気抵抗素子部(22)を形成する素子部形成工程と、 前記各磁気抵抗素子部(22)に対応するヒータ部(30)をそれぞれ形成するヒータ部形成工程と、 磁場の向きが前記面方向のうちの第1の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部(22)が形成された前記基板(10、14、16)を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部(22)のうちの一部に対応するヒータ部(30)を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部(22)を構成するピン磁性層(22a)の磁化の向きを前記第1の方向に着磁する第1着磁工程と、 磁場の向きが前記面方向のうち第1の方向とは異なる第2の方向に設定された磁場中に、前記各磁気抵抗素子部(22)が形成された前記基板(10、14、16)を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部(22)の一部とは異なる一部に対応するヒータ部(30)を加熱して磁場中アニールを行うことにより、当該磁気抵抗素子部(22)を構成するピン磁性層(22a)の磁化の向きを前記第2の方向に着磁する第2着磁工程と、を含んでいることを特徴とする磁気センサ装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 43/12 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L43/12 ,  H01L43/08 Z
Fターム (11件)：
5F092AA15 ,  5F092AB01 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BC04 ,  5F092BC42 ,  5F092CA23 ,  5F092CA25 ,  5F092EA04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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