特許
J-GLOBAL ID：201303040097185271
CMPスラリー組成物及びそれを用いた研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
アイ・ピー・ディー国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-287883
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140984
出願日： 2012年12月28日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：
【課題】窒化膜上層に存在する酸化膜に対する研磨速度を2000Å/分以上に維持しながら、窒化膜層研磨速度とトレンチ上層の酸化膜に対する研磨速度との比を50以上に維持すると同時に、全被研磨層上で70nm以上の表面欠陥を低減したCMPスラリー組成物を提供する。【解決手段】本発明のCMPスラリー組成物は、金属酸化物粒子;ジイソシアネート化合物;及び超純水を含む。前記CMPスラリー組成物は、凸部と凹部からなるウエハ表面の研磨速度を選択的に調節でき、1次と2次研磨は素早く行われ、2次研磨の窒化膜ストッピングを大きくすることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
金属酸化物粒子;
ジイソシアネート化合物;及び
超純水;
を含むCMPスラリー組成物。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058CB02
, 3C058CB03
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
, 5F057AA06
, 5F057AA17
, 5F057AA28
, 5F057BA24
, 5F057BB16
, 5F057BB19
, 5F057DA03
, 5F057EA01
, 5F057EA06
, 5F057EA07
, 5F057EA08
, 5F057EA09
, 5F057EA16
, 5F057EA21
, 5F057EA25
, 5F057EA29
, 5F057EA40
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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