特許
J-GLOBAL ID:201303040395147269
パターン形成方法およびパターン形成体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (17件):
蔵田 昌俊
, 高倉 成男
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-218142
公開番号(公開出願番号):特開2013-077776
出願日: 2011年09月30日
公開日(公表日): 2013年04月25日
要約:
【課題】微細かつ均一なパターンの形成に好適なパターン形成方法およびパターン刑生体を提供することを目的とする。【解決手段】レジストパターンが形成される領域は、ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きくし、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスク層を残存させることと、下段部は基板表面の一部が露出するようにハードマスク層へ異方性エッチングを行うことで、基板に均一なパターンを形成することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板にハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層に段差を形成する工程と、
前記段差を形成したハードマスク層にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に均一なパターンを形成する工程と、
前記パターニングされたレジスト層をエッチングマスクとして、前記ハードマスク層に異方性エッチングを行う工程と、
前記パターニングされたハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に異方性エッチングを行う工程と、を備え、
前記レジスト層にパターンが形成される領域は、前記ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きいことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L21/30 502D
, B29C59/02 Z
, H01L21/30 502C
Fターム (16件):
4F209AA44
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AH63
, 4F209AH73
, 4F209AJ06
, 4F209AM32
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PQ11
, 4F209PQ20
, 5F146AA31
, 5F146AA32
引用特許: