特許
J-GLOBAL ID：200903027472797876
インプリント用モールドの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080352
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258419
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】ナノインプリントモールドの微細パターン形成に際して、微細パターンの境界領域でパターン寸法が変化し、設計寸法とのずれを生じる問題を、複雑な計算を行わずに解決する。【解決手段】目的とする微細パターンを、電子線リソグラフィーを用いてレジスト膜上に形成する際、目的とする微細パターン周辺に、パターン密度を考慮した補助パターンを同時に形成することにより、微細パターン境界近傍での寸法変化を抑制する。更に、このレジストパターンを保護膜にエッチングで転写した後、再度レジスト膜を塗布し、パターンを形成することで、補助パターンが基材に転写されることを防ぎ、目的とする微細パターンのみを基材に転写する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材に保護膜と第1のレジストをこの順に設けたモールド形成用基板を用意する工程と、
前記第1のレジストにモールド用パターンと補助パターンを形成し、第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、保護膜にモールド用パターンと補助パターンを形成し、保護膜パターンを形成する工程と、
前記第1のレジストを除去する工程と、
前記保護膜上に第2のレジストを設け、該第2のレジストにおいて保護膜に形成されたモールド用パターン部に開口パターンを形成し、第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンと保護膜パターンをマスクとして、基材にモールドパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストと保護膜を除去する工程と、
を有するインプリント用モールドの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, B81C 1/00
, B81C 5/00
H01L21/30 502D
, B81C1/00
, B81C5/00
