特許
J-GLOBAL ID：201303041055144644

半導体レーザ素子

発明者：
野間 亜樹

野間 亜樹 について

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阿久津 稔

阿久津 稔 について

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西岡 義人

西岡 義人 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  香山 秀幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-256632
公開番号（公開出願番号）：特開2013-034034
出願日： 2012年11月22日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：
【課題】高出力化に適した半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザダイオード70は、基板1と、基板1上に結晶成長によって形成された半導体積層構造2とを含む。半導体積層構造2は、n型(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49Pクラッド層14およびp型(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49Pクラッド層17と、これらのクラッド層14,17に挟まれたn側Alx2Ga(1-x2)Asガイド層15およびp側Alx2Ga(1-x2)Asガイド層16と、これらのガイド層15,16に挟まれた活性層10とを含む。活性層10は、AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3層からなる量子井戸層221とAlx4Ga(1-x4)As層からなる障壁層222とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p型クラッド層およびn型クラッド層と、 前記p型クラッド層およびn型クラッド層に挟まれたp側ガイド層およびn側ガイド層と、 前記p側ガイド層およびn側ガイド層に挟まれ、少なくとも1つの量子井戸層を含む活性層とを備え、 前記p型クラッド層およびn型クラッド層は、それぞれ(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49P層(0≦x1≦1)からなり、 前記p側ガイド層およびn側ガイド層は、それぞれAlx2Ga(1-x2)As層(0≦x2≦1)からなり、 前記量子井戸層は、AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3層(0 IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343
Fターム (12件)：
5F173AA08 ,  5F173AB76 ,  5F173AF04 ,  5F173AF13 ,  5F173AF15 ,  5F173AF35 ,  5F173AF55 ,  5F173AH28 ,  5F173AP05 ,  5F173AP52 ,  5F173AR14 ,  5F173AR44
引用特許：
審査官引用 (6件)
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