特許
J-GLOBAL ID：201203035572195707
半導体レーザ素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
, 香山 秀幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-277091
公開番号（公開出願番号）：特開2012-129243
出願日： 2010年12月13日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：
【課題】高出力化に適した半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザダイオード70は、基板1と、基板1上に結晶成長によって形成された半導体積層構造2とを含む。半導体積層構造2は、n型(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49Pクラッド層14およびp型(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49Pクラッド層17と、これらのクラッド層14,17に挟まれたn側Alx2Ga(1-x2)Asガイド層15およびp側Alx2Ga(1-x2)Asガイド層16と、これらのガイド層15,16に挟まれた活性層10とを含む。活性層10は、AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3層からなる量子井戸層221とAlx4Ga(1-x4)As層からなる障壁層222とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p型クラッド層およびn型クラッド層と、
前記p型クラッド層およびn型クラッド層に挟まれたp側ガイド層およびn側ガイド層と、
前記p側ガイド層およびn側ガイド層に挟まれ、少なくとも1つの量子井戸層を含む活性層とを備え、
前記p型クラッド層およびn型クラッド層は、それぞれ(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49P層(0≦x1≦1)からなり、
前記p側ガイド層およびn側ガイド層は、それぞれAlx2Ga(1-x2)As層(0≦x2≦1)からなり、
前記量子井戸層は、AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3層(0≦x3≦1,0≦y≦0.3)からなり、
前記AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3層は、Asの組成(1-x3)に対するPの組成X3の比X3/(1-X3)が、1/4以下を満たす組成を有している、半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
5F173AA08
, 5F173AB76
, 5F173AF04
, 5F173AF15
, 5F173AH29
, 5F173AP24
, 5F173AP53
, 5F173AR02
, 5F173AR14
, 5F173AR44
, 5F173AR56
, 5F173AR68
