特許

J-GLOBAL ID：200903089711774463

半導体光素子

発明者： 花巻 吉彦 ,  小野 健一 ,  鴫原 君男 ,  川崎 和重 ,  柴田 公隆 ,  島田 尚往
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-059595
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245341
出願日： 2005年03月03日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】 活性層への不純物の混入を防いで、高出力化させ、動作の信頼性を向上させることができる半導体光素子を得る。【解決手段】 n型GaAs基板上に、n型GaAsバッファー層、n型AlGaInPクラッド層、不純物を添加していない第1のInGaAsP(As組成ゼロも含む)ガイド層、InGaAsP(In組成ゼロも含む)活性層、不純物を添加していない第2のInGaAsP(As組成ゼロも含む)ガイド層、p型AlGaInPクラッド層、p型不連続緩和層、p型GaAsコンタクト層を順に積層した構造を有する半導体光素子であって、p型GaAsコンタクト層、p型不連続緩和層、及びp型AlGaInPクラッド層のp型不純物としてC又はMgを用いる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n型GaAs基板上に、n型GaAsバッファー層、n型AlGaInPクラッド層、不純物を添加していない第1のInGaAsP(As組成ゼロも含む)ガイド層、InGaAsP(In組成ゼロも含む)活性層、不純物を添加していない第2のInGaAsP(As組成ゼロも含む)ガイド層、p型AlGaInPクラッド層、p型不連続緩和層、p型GaAsコンタクト層を順に積層した構造を有する半導体光素子であって、 前記p型GaAsコンタクト層、前記p型不連続緩和層、及び前記p型AlGaInPクラッド層のp型不純物としてC又はMgを用いたことを特徴とする半導体光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/22

FI (2件)：

H01S5/343 ,  H01S5/22

Fターム (11件)：

5F173AA08 ,  5F173AF58 ,  5F173AF78 ,  5F173AG11 ,  5F173AG20 ,  5F173AH08 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ06 ,  5F173AJ13 ,  5F173AP05 ,  5F173AR96

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-204076   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-353178   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-276127   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-178298   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-091435   出願人：富士写真フイルム株式会社