特許
J-GLOBAL ID：201303041272592965

スパッタリングターゲット

発明者：
尹 栄徳

尹 栄徳 について

, 
上田 健一郎

上田 健一郎 について

, 
安藤 俊之

安藤 俊之 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 永田 良昭 ,  永田 元昭 ,  大田 英司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-053267
公開番号（公開出願番号）：特開2013-185238
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：
【課題】ターゲットのスパッタリングの際にパーティクル、スプラッシュ、ダスト等の粗大クラスタの発生を防止し、スパッタリングによって形成される薄膜の膜厚の均一性を向上したスパッタリングターゲットの提供を目的とする。【解決手段】純度が99.9質量%以上の銅を主成分としたスパッタリングターゲットであって、10ppm以下の硫黄(S)、及び、2ppm以下の鉛(Pb)を含有することを特徴とし、好ましくは、前記銅の純度が99.96質量%以上であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
純度が99.9質量%以上の銅を主成分としたスパッタリングターゲットであって、 10ppm以下の硫黄(S)、及び、2ppm以下の鉛(Pb)を含有することを特徴とする スパッタリングターゲット。
IPC (1件)：
C23C 14/34
FI (1件)：
C23C14/34 A
Fターム (3件)：
4K029AA24 ,  4K029BA08 ,  4K029CA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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