特許
J-GLOBAL ID：200903069435933098

高純度銅スパッタリングタ-ゲットおよび薄膜

発明者：
高橋 一成

高橋 一成 について

, 
叶野 治

叶野 治 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 藤吉 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157331
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330923
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：
【要約】【目的】 高速演算素子に必要不可欠な低い電気抵抗をもち、さらには膜厚均一性に優れた配線膜を形成することが可能であるスパッタリング用銅ターゲットおよび銅薄膜を提供する。【構成】 NaおよびK含有量がそれぞれ0.1ppm以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca,Mg含有量がそれぞれ1ppm以下、炭素および酸素含有量がそれぞれ5ppm以下、UおよびTh含有量がそれぞれ1ppb以下、ガス成分を除いた銅の含有量が99.999%以上であることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット。さらに、スパッタ面における平均粒径が250μm以下で、場所による平均粒径のばらつきが±20%以内、X線回折強度比I(111)/I(200)がスパッタ面において2.4以上でそのばらつきが±20%以内であることが好ましい。
請求項（抜粋）：
高純度銅スパッタリングターゲットにおいて、NaおよびK含有量がそれぞれ0.1ppm 以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca,Mg 含有量がそれぞれ1ppm 以下、炭素および酸素含有量がそれぞれ5ppm 以下、U および Th含有量がそれぞれ1ppb以下、ガス成分を除いた銅の含有量が99.999%以上であることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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