特許
J-GLOBAL ID：201303041609794786

貫通シリコンビアを使用する半導体実装プロセス

発明者：
ハーバ,ベルガセム

ハーバ,ベルガセム について

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ハンプストン,ジャイルズ

ハンプストン,ジャイルズ について

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マーガリット,モティ

マーガリット,モティ について


出願人/特許権者：
インヴェンサス・コーポレイション

インヴェンサス・コーポレイション について


代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-088258
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175764
出願日： 2013年04月19日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】ダイの前面上のダイボンドパッドをダイの後面上のBGAインタフェースに接続することを可能とした貫通シリコンビアを使用する半導体実装プロセスを提供する。【解決手段】マイクロ電子ユニット400は、前面と、前面に隣接するマイクロ電子半導体デバイスと、前面の接点403と、前面から離間する後面とを有する半導体素子401を含むことができる。半導体素子401は、後面から半導体素子401と接点403とを貫通して延びる貫通穴410を有することができる。誘電体層411が貫通穴410の内側を覆うことができる。導電層412が貫通穴410内で誘電体層411上にわたって位置してもよい。導電層412は、接点403とユニット接点とを相互に導電接続することができる。【選択図】図4a
請求項（抜粋）：
前面と、前面に隣接するマイクロ電子半導体デバイスと、前面の接点と、前面から離間する後面とを有する半導体素子であって、後面から前記半導体素子と前記接点とを貫通して延びる貫通穴を有する、半導体素子と、 貫通穴の内側を覆う誘電体層と、 貫通穴内で誘電体層上にわたって位置する導電層であって、前記接点とユニット接点とを相互に導電接続する、導電層と を備える、マイクロ電子ユニット。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L23/12 501P ,  H01L25/08 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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