半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 塩田辰也 , 寺崎史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-098548
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165602
出願日： 2003年04月01日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】半導体基板と、ホトダイオードの出力を半導体基板の一方の主面側から他方の主面側に導く導電性部材との間の電気絶縁性を確保することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】n型半導体基板105には、隣接するp型不純物拡散領域109間に、一方の主面側から他方の主面側に貫通する貫通孔105cが形成されている。貫通孔105cは、p型不純物拡散領域109それぞれに対応して設けられている。貫通孔105cを画成するn型半導体基板105の壁面上には、熱酸化膜113が形成されている。貫通孔105c内には、熱酸化膜113の内側に導電性部材としての貫通配線115が設けられている。貫通配線115の一端側の部分は、電極配線117の一端側の部分に電気的に接続されている。電極配線117は、熱酸化膜107上に形成されており、その他端側の部分がp型不純物拡散領域109に電気的に接続されている。【選択図】図17

請求項（抜粋）：

一方の主面側にホトダイオードが形成された半導体基板を備えた半導体装置であって、前記半導体基板には、前記一方の主面側から他方の主面側に貫通する貫通孔が形成されており、前記貫通孔に設けられ、前記ホトダイオードの出力を前記半導体基板の前記一方の主面側から前記他方の主面側に導く導電性部材と、前記貫通孔を画成する前記半導体基板の壁面上に形成され、前記半導体基板と前記導電性部材との間に配置される熱酸化膜と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L27/14 , H01L21/3205 , H01L31/10

FI (3件)：

H01L27/14 D , H01L21/88 J , H01L31/10 A

Fターム (75件)：

4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118BA01 , 4M118BA03 , 4M118CA03 , 4M118CA05 , 4M118EA20 , 4M118HA31 , 4M118HA33 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033LL04 , 5F033MM30 , 5F033PP09 , 5F033PP15 , 5F033PP28 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ41 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR23 , 5F033SS11 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033TT02 , 5F033VV07 , 5F033XX20 , 5F033XX31 , 5F049MA02 , 5F049MB02 , 5F049NA03 , 5F049NA04 , 5F049NA20 , 5F049NB05 , 5F049PA05 , 5F049PA14 , 5F049PA15 , 5F049PA20 , 5F049QA03 , 5F049QA14 , 5F049QA20 , 5F049RA02 , 5F049SE05 , 5F049SE09 , 5F049SE11 , 5F049SS02 , 5F049SZ13 , 5F049TA05

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭63-175440
3次元画像処理装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-160330 出願人：小柳光正, 富士ゼロックス株式会社
基板の貫通電極形成方法および貫通電極を有する基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-034528 出願人：株式会社フジクラ

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