特許
J-GLOBAL ID：201303042358810961
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
速水 進治
, 天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-207739
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016850
出願日： 2012年09月21日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：
【課題】複数の半導体チップが積層されてオーバハングした部分が生じる場合でも、簡易な手順および構成でオーバハングした部分の樹脂の未充填を防ぐ。【解決手段】半導体装置100は、基板102と、基板102上に搭載された第1の半導体チップ110と、第1の半導体チップ110上に第1の半導体チップ110から離間した状態で積層されるとともに、第1の半導体チップ110からオーバハングした部分を有して設けられた第2の半導体チップ120と、第1の半導体チップ110と第2の半導体チップ120との間に充填されるとともに、第2の半導体チップ120が第1の半導体チップ110からオーバハングした部分と基板102との間に充填された絶縁樹脂132と、を含む。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に搭載された第1の半導体チップと、
前記第1の半導体チップ上に当該第1の半導体チップから離間した状態で積層されるとともに、前記第1の半導体チップからオーバハングした部分を有して設けられた第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間に充填されるとともに、前記第2の半導体チップが前記第1の半導体チップからオーバハングした部分と前記基板との間に充填された絶縁樹脂と、
を含む半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
