特許
J-GLOBAL ID：201303042472892994
薄ウェーハーハンドリングのための多層接合層
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
渡辺 望稔
, 三和 晴子
, 伊東 秀明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-523362
公開番号（公開出願番号）：特表2013-535838
出願日： 2011年08月05日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：
半導体基板を暫定接合する多層接合層方式が提供される。本発明の接合方式では、層の少なくとも1つは半導体基板と直接接触し、この方式の少なくとも2つの層は互いに直接接触している。本発明では多層構造体内の異なる層が特定の機能を実行するため幾つかの処理選択肢が提供される。更に重要なことは、熱安定性の向上、過酷な背面処理ステップとの適合性の向上、封止によるウェーハー前面の衝撃保護、剥離ステップにおける応力の軽減、及び前面の欠陥減少を提供することによって、薄ウェーハーハンドリング溶液の性能を改善することである。
請求項（抜粋）：
暫定接合方法であって、
背面及びデバイス面を有する第1の基板;
前記デバイス面に隣接し、軟化温度を有する第1の接合層;
前記第1の接合層に隣接し軟化温度を有する第2の接合層であって、前記第1の接合層の軟化温度は、前記第2の接合層の軟化温度よりも約20°C以上高い、第2の接合層;及び、
キャリヤー面を有する第2の基板であって、前記第2の接合層は前記キャリヤー面に隣接する第2の基板;
を含むスタックを提供することと、
前記第1及び前記第2の基板を分離させること、
とを含む方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/02 C
, H01L21/02 B
