特許
J-GLOBAL ID：201303042708637095
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-164785
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256811
出願日： 2011年07月27日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】光取り出し効率および輝度が高められた半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第1電極と、開口部を有する絶縁層と、第1導電形層と、第2導電形層と、第2電極と、を有する。前記第1導電形層は、前記第1電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。第1導電形層は、第1コンタクト層、組成傾斜層、第1クラッド層を含む。前記第2導電形層は、前記発光層と前記第2電極との間に設けられ、電流拡散層および第2コンタクト層を有する。前記第2電極は、パッド部と、前記パッド部から外方に向かい前記第2コンタクト層の上に延在する細線部、とを有する。上方からみて、前記絶縁膜の前記開口部と、前記第2コンタクト層とは、重ならない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体からなる発光層と、
反射金属層を有する第1電極と、
前記第1電極の上に設けられ開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層および前記開口部に露出した前記第1電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる第1導電形層であって、第1コンタクト層、組成傾斜層、第1クラッド層、を少なくとも含む第1導電形層と、
前記発光層の上に設けられ、前記発光層の側から、電流拡散層、第2コンタクト層、をこの順序に少なくとも有する第2導電形層と、
前記第2コンタクト層の非形成領域に設けられたパッド部と、前記パッド部から外方に向かい前記第2コンタクト層の上に延在する前記細線部、を有する第2電極と、
を備え、
上方からみて、前記絶縁膜の前記開口部と、前記第2コンタクト層と、は、重ならず、
前記第1コンタクト層の厚さは、前記電流拡散層の厚さよりも小さいことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 184
, H01L33/00 210
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA39
, 5F041CA40
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F141AA03
, 5F141AA04
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA12
, 5F141CA34
, 5F141CA39
, 5F141CA40
, 5F141CA88
, 5F141CA93
, 5F141CB15
