特許
J-GLOBAL ID：201303043243478650
超電導限流素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
栗原 浩之
, 村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-239424
公開番号（公開出願番号）：特開2013-098331
出願日： 2011年10月31日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：
【課題】 超電導膜における相対的な臨界電流密度特性のばらつきの影響を除去し、良好な所定の限流特性を得るとともに、構造を可及的に簡潔にした超電導限流素子を提供する。【解決手段】 基板1上に超電導膜2を形成した超電導限流素子であって、一部に狭窄部2Aを有する超電導膜2と、狭窄部2Aを覆うように狭窄部2Aに当接させたヒートシンク3とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に超電導膜を形成した超電導限流素子であって、
一部に狭窄部を有する超電導膜と、
前記狭窄部を覆うように前記狭窄部に当接させたヒートシンクとを有することを特徴とする超電導限流素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
4M114AA15
, 4M114CC18
, 4M114DA19
, 4M114DB13
, 4M114DB16
, 4M114DB69
