特許
J-GLOBAL ID：201303043795377998
グラフェンの広い領域の堆積およびドーピング、ならびにそれを含む生成物
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
野河 信太郎
, 甲斐 伸二
, 金子 裕輔
, 稲本 潔
, 冨田 雅己
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-523599
公開番号（公開出願番号）：特表2013-501696
出願日： 2010年07月22日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：
本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層(TCC)としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス(例えば、C2H2、CH4などといった)からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗(例えば、150オーム/スクウェア未満でかつドープされているときより低い)および高い透過係数(transmission value)(例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて)を示してもよい。
請求項（抜粋）：
触媒薄膜上に中間体グラフェン薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ、前記触媒薄膜が実質的に単一配向性の大きな粒子の結晶構造を有し;
ドープされたグラフェン薄膜の製造において、前記中間体グラフェン薄膜にn型またはp型ドーパントをドープすることを含み、
前記ドープされたグラフェン薄膜が、150オーム/スクウェア未満のシート抵抗を有するドープされたグラフェン薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B31/02 101Z
, H01L31/04 A
4G146AA01
, 4G146AA15
, 4G146AA16
, 4G146AA17
, 4G146AB07
, 4G146AC20A
, 4G146AD05
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC08
, 4G146BC15
, 4G146BC31A
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 5F151AA02
, 5F151CB12
, 5F151DA03
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA03
, 5F151GA14
, 5F151HA03
