半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：岡田全啓 , 扇谷一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-047018
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004961
出願日： 2012年03月02日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：

【課題】銅を回路層に用いても、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子は、GaN系の半導体材料でできている本体21および少なくとも1つの電極構造物23を含む。電極構造物23は、本体21に形成されるオーミック接触層231、本体21の反対側のオーミック接触層231上に形成されるバッファ層232、および、銅系の材料でできており、オーミック接触層231の反対側のバッファ層232に形成される回路層233を含む。オーミック接触層231は、チタン、アルミニウム、ニッケルおよびそれらの合金から選択される材料でできている。バッファ層232は、オーミック接触層231の材料とは異なっており、かつ、チタン、タングステン、窒化チタン、タングステン窒化およびそれらの組み合わせから選択される材料でできている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

GaN系の半導体材料でできている本体(21)、および、外部回路に接続されるように構成された少なくとも1つの電極構造物(23)であって、前記本体(21)上に形成されるオーミック接触層(231)、前記本体(21)の反対側の前記オーミック接触層(231)上に形成されるバッファ層(232)、および、銅系の材料でできており、前記オーミック接触層(231)の反対側の前記バッファ層(232)上に形成される回路層(233)を含み、前記オーミック接触層(231)は、チタン、アルミニウム、ニッケルおよびそれらの合金からなるグループから選択される材料でできており、前記バッファ層(232)は、前記オーミック接触層(231)の前記材料とは異なっており、かつ、チタン、タングステン、窒化チタン、窒化タングステンおよびそれらの組み合わせからなるグループから選択される材料でできている、電極構造物を含むこと、を特徴とする、半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L29/80 F , H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (20件)：

4M104AA04 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104DD79 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 4M104GG12 , 4M104HH05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-130942 出願人：古河電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-003541 出願人：日本電気株式会社
半導体の配線構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-217297 出願人：エル・ジー・セミコン・カンパニー・リミテッド

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