特許
J-GLOBAL ID：201303044688058975

窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法

発明者：
鈴木 貴征

鈴木 貴征 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-048234
公開番号（公開出願番号）：特開2013-183149
出願日： 2012年03月05日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：
【課題】オフ角が面内で不均一な窒化ガリウム基板を用いた場合でも、窒化物半導体層の面内のオフ角バラツキを抑制した窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】窒化ガリウム基板11上に窒化ガリウムからなるバッファ層12と1層以上の窒化物半導体層13とを備える窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ10において、窒化ガリウム基板11よりも窒化物半導体層13の方がオフ角バラツキが小さいものである。また、窒化ガリウム基板11とバッファ層12との間にインジウム組成を0.1以上0.4以下として、直径が10nm以上200nm以下の量子ドット15からなる中間層14をエピタキシャル成長させるものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム基板上に窒化ガリウムからなるバッファ層と1層以上の窒化物半導体層とを備える窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハにおいて、 前記窒化ガリウム基板よりも前記窒化物半導体層の方がオフ角バラツキが小さいことを特徴とする窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ。
IPC (7件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00
FI (5件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L29/80 H ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00
Fターム (44件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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