特許

J-GLOBAL ID：200903022552966936

窒化ガリウム系半導体膜を形成する方法、および半導体基板生産物

発明者： 上野 昌紀 ,  永井 陽一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396183
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159047
出願日： 2003年11月26日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】良好な結晶品質の窒化ガリウム系半導体層を有する窒化ガリウム系半導体デバイスを提供する。【解決手段】 半導体発光デバイス31は、主面33aを有する窒化ガリウム支持基体33と、n型のGaN層といった窒化ガリウム系半導体層35とを備える。窒化ガリウム支持基体33は主面33aを有しており、窒化ガリウム系半導体層35は、この主面33a上に設けられている。主面33aの法線33bと窒化ガリウム支持基体33のC軸33cとは角度Angle2(以下、オフ角と称する)をなす。窒化ガリウム支持基体33のオフ角がゼロ度に近づくにつれて、窒化ガリウム系半導体層35の表面に六角錘状の突起が目立つようになる。また、この角度は、2度未満であることが好ましい。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系半導体膜を形成する方法であって、 窒化ガリウム基板を準備する工程を備え、前記窒化ガリウム基板の主面の全体において該主面の法線と前記窒化ガリウム基板のC軸とは2度未満の角度をなしており、 V族原料およびIII族原料を供給して前記窒化ガリウム基板の前記主面上に窒化ガリウム系半導体膜を形成する工程を備える、ことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (21件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045HA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-206460   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (2件)

• オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-505658   出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
• 半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-033107   出願人：シャープ株式会社