特許
J-GLOBAL ID：201303045752026973
アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-037113
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172133
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：
【課題】出射方向が一定であり、高耐圧で、高い強度のテラヘルツ波を発生することができるアンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置を提供すること。【解決手段】アンテナ2は、高抵抗基板24上に、互いに間隙25を介して配置された第1導電型の不純物を含む第1不純物含有半導体層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む第2不純物含有半導体層と、を備え、i型半導体層26が、平面視で、前記第1不純物含有半導体層と前記第2不純物含有半導体層の間隙25を埋めて設けられていること。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
パルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナであって、
基板と、
前記基板上に位置し、かつ、第1導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第1不純物含有半導体層と、
前記基板上に位置し、かつ、前記第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第2不純物含有半導体層と、
前記基板上に位置し、かつ、第1導電型、及び第2導電型の不純物を含まないi型半導体材料で構成されたi型半導体層と、
前記第1不純物含有半導体層に電気的に接続する第1電極と、
前記第2不純物含有半導体層に電気的に接続する第2電極と、を備え、
平面視で、前記第1不純物含有半導体層と前記第2不純物含有半導体層とは、互いに所定の間隙を介して配置され、
前記i型半導体層は、前記第1不純物含有半導体層と前記第2不純物含有半導体層との間の前記間隙を埋めて設けられることを特徴とするアンテナ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/10 A
, G01N21/35 Z
2G059AA01
, 2G059AA05
, 2G059BB08
, 2G059BB12
, 2G059BB15
, 2G059CC16
, 2G059EE01
, 2G059EE02
, 2G059EE11
, 2G059EE12
, 2G059FF01
, 2G059GG01
, 2G059GG02
, 2G059GG08
, 2G059HH01
, 2G059JJ02
, 2G059JJ17
, 2G059KK04
, 2G059KK09
, 2G059KK10
, 2G059MM01
, 5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049NA05
, 5F049NA20
, 5F049NB05
, 5F049NB07
, 5F049PA03
, 5F049PA10
, 5F049PA14
, 5F049QA01
, 5F049RA07
, 5F049SE05
, 5F049SS04
, 5F049WA01
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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