特許

J-GLOBAL ID：201303046122417229

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  野田 耕生 ,  坂倉 真之 ,  及川 欣聡 ,  丸山 穂高
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-029225
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149982
出願日： 2013年02月18日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。【解決手段】薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層にボロン元素またはアルミニウム元素を含ませる。ボロン元素またはアルミニウム元素を含む絶縁層は、ボロン元素またはアルミニウム元素を含むシリコンターゲットまたは酸化シリコンターゲットを用いるスパッタ法により形成する。また、ボロン元素に代えてアンチモン元素(Sb)やリン元素(P)を含む絶縁層で薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に第2の絶縁層とを有し、 前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層は、ボロン元素、またはアルミニウム元素を1×1018cm-3以上1×1022cm-3以下含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/363 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50

FI (7件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617T ,  H01L21/316 Y ,  H01L21/363 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A

Fターム (119件)：

2H092GA14 ,  2H092GA29 ,  2H092GA51 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA35 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA17 ,  2H092QA06 ,  2H092QA07 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC23 ,  3K107EE03 ,  3K107HH05 ,  5F058BB01 ,  5F058BB06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BE04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF12 ,  5F058BF13 ,  5F058BF14 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL07 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103PP13 ,  5F103RR04 ,  5F103RR07 ,  5F110AA14 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB12 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-012592   出願人：キヤノン株式会社
• 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-352679   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-331974   出願人：株式会社東芝