特許
J-GLOBAL ID：200903099879343714

電界効果型トランジスタ

発明者：
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について

, 
ゴヤル アミタ

ゴヤル アミタ について

, 
板垣 奈穂

板垣 奈穂 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (15件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司 ,  松井 孝夫 ,  小林 恒夫 ,  齋藤 正巳 ,  三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-012592
公開番号（公開出願番号）：特開2009-176864
出願日： 2008年01月23日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】少ない元素数から構成されるアモルファス酸化物を用い、オン・オフ比が大きく、大気中保管などの環境安定性に優れた、電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともInとBとを含むアモルファス酸化物材料より構成されており、該アモルファス酸化物材料の元素比率B/(In+B)は0.05以上0.29以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、 該チャンネル層は、少なくともInとBとを含むアモルファス酸化物材料より構成されており、該アモルファス酸化物材料の元素比率B/(In+B)は0.05以上0.29以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
Fターム (52件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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