特許
J-GLOBAL ID：201303046457719475

電磁波検出素子

発明者：
岡田 美広

岡田 美広 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-028883
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157608
出願日： 2013年02月18日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：
【課題】信号配線の電子ノイズをより低減させた電磁波検出素子を提供する。【解決手段】前記信号配線と並列に設けられた共通配線であって、各々が、対応する複数の前記センサ部に共通にバイアス電圧を印加するために前記複数の第1電極と接続された共通配線を複数備え、前記走査配線、前記信号配線、及び前記共通配線は各々絶縁層を介して互いに別々に設けられた配線層により形成され、前記走査配線、前記信号配線、及び前記共通配線の各々が形成された前記配線層は、当該配線層を保護するための保護金属若しくは保護金属化合物及び当該保護金属若しくは当該保護金属化合物よりも低抵抗な低抵抗金属を積層した構成とし、前記信号配線が形成された前記配線層は前記走査配線及び前記共通配線の各々が形成された前記配線層よりも前記低抵抗金属が厚く形成されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
放射線を吸収して電磁波を発生するシンチレータと、 前記シンチレータで発生した電磁波の照射に応じて電荷を発生する半導体層、前記半導体層にバイアス電圧を印加するための第1電極、及び当該半導体層にて発生した電荷を収集する第2電極を含み、2次元状に配列されたセンサ部と、 前記第2電極で収集された電荷を読み出し、前記2次元状に配列されたセンサ部の各々に対応して設けられたスイッチ部と、 前記スイッチ部から読み出された電荷を転送し、並列に設けられた複数の信号配線と、 前記信号配線と交差して並列に設けられ、前記スイッチ部に制御信号を与える複数の走査配線と、 を備え、 更に、前記信号配線と並列に設けられた共通配線であって、各々が、対応する複数の前記センサ部に共通にバイアス電圧を印加するために前記複数の第1電極と接続された共通配線を複数備え、 前記走査配線、前記信号配線、及び前記共通配線は各々絶縁層を介して互いに別々に設けられた配線層により形成され、 前記走査配線、前記信号配線、及び前記共通配線の各々が形成された前記配線層は、当該配線層を保護するための保護金属若しくは保護金属化合物及び当該保護金属若しくは当該保護金属化合物よりも低抵抗な低抵抗金属を積層した構成とし、 前記信号配線が形成された前記配線層は前記走査配線及び前記共通配線の各々が形成された前記配線層よりも前記低抵抗金属が厚く形成された 電磁波検出素子。
IPC (7件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/144 ,  G01T 1/20 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/357 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/374
FI (8件)：
H01L27/14 C ,  H01L27/14 K ,  G01T1/20 E ,  G01T1/20 G ,  H04N5/32 ,  H04N5/335 570 ,  H04N5/335 690 ,  H04N5/335 740
Fターム (26件)：
2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  2G088LL11 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB23 ,  5C024AX12 ,  5C024CX03 ,  5C024GX09 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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