特許
J-GLOBAL ID：200903037811898445

光電変換装置及びその製造方法、放射線検出装置

発明者：
小池 稔子

小池 稔子 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-121615
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327794
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】基板が大型化すると真性半導体層の応力が強いため、その応力による基板のそりが原因の不良品が発生する。【解決手段】TFT部と、TFT部の信号を読み出す信号配線部との真性半導体層103の膜厚を、光電変換素子部の真性半導体層103の膜厚より薄く形成する。また、TFT部と、TFT部の信号を読み出す信号配線部と、TFTのゲート端子を駆動するためのゲート配線部との真性半導体層103の膜厚を、光電変換素子部の真性半導体層103より薄く形成する。更に、信号配線部とゲート配線部との交差部の真性半導体層103の膜厚は光電変換素子部の真性半導体層103の膜厚と等しくする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に、光電変換素子部とTFT部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とTFT部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置において、前記TFT部と、前記TFT部の信号を読み出す信号配線部との真性半導体層の膜厚が、前記光電変換素子部の真性半導体層の膜厚より薄いことを特徴とする光電変換装置。
IPC (5件)：
H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L31/02 ,  H01L31/09 ,  H04N5/32
FI (5件)：
H01L27/14 C ,  H04N5/32 ,  H01L31/00 A ,  H01L31/02 A ,  H01L29/78 613Z
Fターム (73件)：
2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CA11 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  4M118FB30 ,  4M118HA26 ,  5C024AX11 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024HX40 ,  5F088AA04 ,  5F088AB05 ,  5F088BA18 ,  5F088BA20 ,  5F088CA01 ,  5F088CB07 ,  5F088CB14 ,  5F088CB15 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088EA11 ,  5F088EA13 ,  5F088EA20 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088HA15 ,  5F088JA17 ,  5F088LA08 ,  5F110AA28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE37 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG35 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM19 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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