特許
J-GLOBAL ID：201303046619770070
半導体基板及び半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-008102
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149733
出願日： 2012年01月18日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶炭化シリコン膜を形成するとともにウエハの反りを抑制することが可能な半導体基板を提供する。【解決手段】シリコン基板11と、シリコン基板11の表面に形成された単結晶炭化シリコン膜13と、シリコン基板11の単結晶炭化シリコン膜13が形成された側とは反対側の面に形成された、当該面に圧縮応力を加えてシリコン基板11の応力を緩和する応力緩和膜15と、を含み、単結晶炭化シリコン膜13のシリコン基板11の側の部分には、当該単結晶炭化シリコン膜13とシリコン基板11との間の界面に沿って複数の空隙14が存在している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、
前記シリコン基板の表面に形成された単結晶炭化シリコン膜と、
前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に形成された、前記面に圧縮応力を加えて前記シリコン基板の応力を緩和する応力緩和膜と、を含み、
前記単結晶炭化シリコン膜の前記シリコン基板の側の部分には、前記単結晶炭化シリコン膜と前記シリコン基板との間の界面に沿って複数の空隙が存在していることを特徴とする半導体基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F152LL03
, 5F152LM02
, 5F152LM04
, 5F152LM05
, 5F152LN05
, 5F152MM18
, 5F152NN03
, 5F152NN13
, 5F152NN16
, 5F152NN19
, 5F152NN27
, 5F152NQ02
出願人引用 (11件)
全件表示
審査官引用 (16件)
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
