特許

J-GLOBAL ID：201303046860369948

スパッタリングターゲット、及び、その製造方法

発明者： 尹 栄徳 ,  上田 健一郎
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (3件)： 永田 良昭 ,  永田 元昭 ,  大田 英司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-053266
公開番号（公開出願番号）：特開2013-185237
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

【課題】低い電気抵抗を保持しつつ、成膜速度の向上を図ることができるスパッタリングターゲット、及び、その製造方法の提供を目的とする。【解決手段】純度が99.9%以上である高純度銅からなるスパッタリングターゲットであって、スパッタリングを行う面における(111)面、(200)面、(220)面、及び、(311)面の各配向面のX線回折のピーク強度であるI(111)、I(200)、I(220)、I(311)がI(111)/[I(111)+I(200)+I(220)+I(311)]≧0.40、且つ、I(111)>I(200)、I(111)>I(220)、I(111)>I(311)となる関係を満たす構成とした。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

純度が99.9%以上である高純度銅からなるスパッタリングターゲットであって、 スパッタリングを行う面における(111)面、(200)面、(220)面、及び、(311)面の各配向面のX線回折のピーク強度であるI(111)、I(200)、I(220)、I(311)が [数1] I(111)/[I(111)+I(200)+I(220)+I(311)]≧0.40 、且つ、 [数2] I(111)>I(200)、 I(111)>I(220)、 I(111)>I(311) となる関係を満たすことを特徴とする スパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C22F 1/08 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

C23C14/34 A ,  C22F1/08 A ,  H01L21/285 S ,  H01L21/28 301R

Fターム (15件)：

4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA08 ,  4K029BB08 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC08 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4M104BB04 ,  4M104DD40 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶銅ターゲットおよびその製造法とそれを用いた半導体内部配線
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181361   出願人：同和鉱業株式会社
• 銅スパッタリングターゲット材及びスパッタリング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-172718   出願人：日立電線株式会社
• 高純度銅スパッタリングタ-ゲットおよび薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157331   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-042616   出願人：株式会社ジャパンエナジー