化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史 , 正木克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-018391
公開番号（公開出願番号）：特開2013-164588
出願日： 2013年02月01日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：

【課題】解像性向上及び疎パターン及び密パターンにおいても、線幅とパターンの種類による誤差が生じることなく、目的の線幅を忠実に描画することができる化学増幅ネガ型レジスト組成物の提供。【解決手段】一般式(1)の繰り返し単位を含み、更にフェノール性水酸基及び/又はフルオロアルコール基を有し、一般式(1)以外の繰り返し単位の合計が25〜95モル%であるポリマーを含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

高エネルギー線の照射により酸発生剤より発生する酸を触媒として、レジストポリマーに含まれる脱離基が脱離反応を起こし、アルカリ性現像液に対して不溶化する機構を有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、レジストポリマーとして、下記一般式(1)の繰り返し単位を含み、更に、下記一般式(2)、(3)から選ばれる1種以上の繰り返し単位と下記一般式(4)、(5)から選ばれる1種以上の繰り返し単位を含有し、下記一般式(1)以外の繰り返し単位のうち少なくとも一つの繰り返し単位はフェノール性水酸基及び/又はフルオロアルコール基を有し、ポリマーを構成する全繰り返し単位に対する、下記一般式(1)以外の繰り返し単位の合計が25〜95モル%であるポリマーを含有することを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/038 , G03F 7/09 , C08F 212/02 , C08F 220/30 , C08F 232/08 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/038 601 , G03F7/09 501 , C08F212/02 , C08F220/30 , C08F232/08 , H01L21/30 502R

Fターム (57件)：

2H125AE04P , 2H125AF17P , 2H125AF38P , 2H125AH01 , 2H125AH25 , 2H125AH29 , 2H125AJ02X , 2H125AJ02Y , 2H125AJ42X , 2H125AJ42Y , 2H125AJ48X , 2H125AJ64Y , 2H125AN02P , 2H125AN31P , 2H125AN39P , 2H125AN57P , 2H125AN62P , 2H125AN65P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125CA08 , 2H125CB16 , 2H125CC01 , 2H125CC17 , 2H125DA31 , 4J100AB00P , 4J100AB07P , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08S , 4J100AR09R , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA05P , 4J100BA10P , 4J100BA11S , 4J100BB12Q , 4J100BB18Q , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC09S , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100BC48Q , 4J100BC49Q , 4J100BC53Q , 4J100BC53S , 4J100BC58Q , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

ネガ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-144677 出願人：富士写真フイルム株式会社
ネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-130257 出願人：信越化学工業株式会社
ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-013585 出願人：信越化学工業株式会社

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