特許
J-GLOBAL ID：200903056727979752

ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
小板橋 龍二

小板橋 龍二 について

, 
渡辺 保

渡辺 保 について

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武田 隆信

武田 隆信 について

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渡邉 聡

渡邉 聡 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-013585
公開番号（公開出願番号）：特開2006-201532
出願日： 2005年01月21日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と光酸発生剤と架橋剤とを含むネガ型レジスト組成物。 【化1】(Xはアルキル基又はアルコキシ基、R1、R2はH、OH、アルキル基、置換可アルコキシ基又はハロゲン原子、R3、R4はH又はCH3、nは1〜4の正の整数、m、kは1〜5の正の整数、p、q、rは正数。)【効果】 本発明は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料を与えることができる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物と、高エネルギー線照射により酸を発生する光酸発生剤と、光酸発生剤より発生する酸によって高分子化合物同士を架橋させる架橋剤とを含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。
IPC (6件)：
G03F 7/038 ,  C08F 212/14 ,  C08F 232/08 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F7/038 601 ,  C08F212/14 ,  C08F232/08 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 504 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R
Fターム (20件)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07R ,  4J100AR10Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA10R ,  4J100CA05 ,  4J100DA01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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