特許
J-GLOBAL ID：201303046898846790
複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
濱田 百合子
, 橋本 公秀
, 吉田 将明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-098497
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175476
出願日： 2013年05月08日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】シリコンウェハ等の試料を汚染することなく迅速に加工することができ、高分解能の観察や微細な加工が可能な複合集束イオンビーム装置それを用いた加工観察方法、加工方法を提供する。【解決手段】本発明は、第1のイオンを発生させる液体金属イオン源を備えた第1のイオンビーム照射系10と、第2のイオンを発生させるガスフィールドイオン源を備えた第2のイオンビーム照射系20と、を有し、第2のイオンビーム照射系20から射出される第2のイオンビーム20Aのビーム径は、第1のイオンビーム照射系10から射出される第1のイオンビーム10Aのビーム径よりも小さい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のイオンを発生させるプラズマ型ガスイオン源を備えた第1のイオンビーム照射系と、
前記第1のイオンと異なるイオン種であって、前記第1のイオンの質量よりも質量の小さい第2のイオンを発生させるガスフィールドイオン源を備えた第2のイオンビーム照射系と、
前記第1のイオンビーム照射系および前記第2のイオンビーム照射系の各々が、試料へ第1のイオンビームおよび第2のイオンビームを照射した際に、試料から発せられる二次電子および二次イオンを検出する二次荷電粒子検出器と、
を備えることを特徴とする複合集束イオンビーム装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, H01J 27/26
, H01J 37/08
H01J37/317 D
, H01J27/26
, H01J37/08
5C030DF02
, 5C034DD01
, 5C034DD09
