特許

J-GLOBAL ID：201303047054890910

パターン形成方法

発明者： 小林 知洋 ,  畠山 潤 ,  渡辺 武
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-123363
公開番号（公開出願番号）：特開2012-252080
出願日： 2011年06月01日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：

【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基により保護された部分構造を有する繰り返し単位を含有するベース樹脂と光酸発生剤と架橋剤と有機溶剤を共に含み、架橋剤がオキシラン環又はオキセタン環から選ばれる官能基を分子内に2つ以上有する化合物であるレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像において解像性が高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す特徴を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

カルボキシル基が酸不安定基により保護された部分構造を有する繰り返し単位(a1)を1種又は2種以上含有するベース樹脂[A]と光酸発生剤[B]と架橋剤[C]と有機溶剤[D]を共に含み、架橋剤[C]がオキシラン環又はオキセタン環から選ばれる官能基を分子内に2つ以上有する化合物であるレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  C08F 20/10 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  C08F20/10 ,  H01L21/30 502R

Fターム (96件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H125AE06P ,  2H125AE07P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF30P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF70P ,  2H125AH03 ,  2H125AH05 ,  2H125AH11 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH25 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ25X ,  2H125AJ27X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ83X ,  2H125AJ84X ,  2H125AK21 ,  2H125AK26 ,  2H125AK29 ,  2H125AK30 ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN11P ,  2H125AN31P ,  2H125AN36P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN65P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AK32Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AR11P ,  4J100AR11R ,  4J100AR17P ,  4J100AR21P ,  4J100AR32Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15R ,  4J100BA20R ,  4J100BA52Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC36S ,  4J100BC52P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC54Q ,  4J100BC54R ,  4J100BC58P ,  4J100BC84P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-111733   出願人：富士フイルム株式会社
• パターン形成方法及び該方法で用いられるリンス液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-182937   出願人：富士フイルム株式会社
• レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-158145   出願人：東京応化工業株式会社
• ネガ型レジストパターン形成方法、それに用いられる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びにレジストパターン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-017489   出願人：富士フイルム株式会社
• 感光性絶縁樹脂組成物および絶縁膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-104715   出願人：JSR株式会社