特許
J-GLOBAL ID：201203006932669080

パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

発明者：
高橋 秀知

高橋 秀知 について

, 
山口 修平

山口 修平 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-111733
公開番号（公開出願番号）：特開2012-242556
出願日： 2011年05月18日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：
【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、露光ラチチュード、及び、ドライエッチング耐性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、並びに、電子デバイスを提供する。【解決手段】(ア)N-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位(A)を有する樹脂(P)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、並びに、電子デバイス。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(ア)N-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位(A)を有する樹脂(P)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程 を含む、パターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (54件)：
2H125AE03P ,  2H125AE04P ,  2H125AE06P ,  2H125AE22P ,  2H125AF17P ,  2H125AF21P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH14 ,  2H125AH15 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM10P ,  2H125AM12P ,  2H125AM22P ,  2H125AM27P ,  2H125AM30P ,  2H125AM32P ,  2H125AM43P ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN11P ,  2H125AN21P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN61P ,  2H125AN64P ,  2H125AN65P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125CC17 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05
引用特許：
審査官引用 (11件)
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