特許
J-GLOBAL ID:201103065465694473
レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-158145
公開番号(公開出願番号):特開2011-013502
出願日: 2009年07月02日
公開日(公表日): 2011年01月20日
要約:
【課題】レジスト膜の基板等に対する密着性に優れ、パターン倒れが抑制されたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、エポキシ樹脂(G)とを含有することを特徴とするレジスト組成物。支持体上に、前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、
露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、
エポキシ樹脂(G)とを含有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (5件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, C08G 59/20
, C08F 20/10
, H01L 21/027
FI (5件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, C08G59/20
, C08F20/10
, H01L21/30 502R
Fターム (54件):
2H125AE06P
, 2H125AE12P
, 2H125AE13P
, 2H125AF18P
, 2H125AF35P
, 2H125AF36P
, 2H125AH12
, 2H125AH17
, 2H125AH25
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ66X
, 2H125AJ79X
, 2H125AN02P
, 2H125AN11P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN54P
, 2H125AN63P
, 2H125BA01P
, 2H125BA02P
, 2H125BA06P
, 2H125BA08P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 4J036AK01
, 4J036AK03
, 4J036AK08
, 4J036AK10
, 4J036DB14
, 4J036HA02
, 4J036JA09
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100BA03P
, 4J100BA03R
, 4J100BA11P
, 4J100BA22P
, 4J100BB11P
, 4J100BC08P
, 4J100BC09P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC12S
, 4J100BC53P
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
引用特許: