スピン注入書き込み操作を使用してセルに書き込むための自己参照磁気ランダムアクセスメモリセル及び方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：江崎光史 , 鍛冶澤實 , 清田栄章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-279040
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138202
出願日： 2012年12月21日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：

【課題】磁気トンネル接合を有する自己参照磁気ランダムアクセスメモリセルに書き込むための方法を提供する。【解決手段】磁気トンネル接合2が、第1記憶磁化方向234を呈する第1強磁性層231と第2記憶磁化方向235を呈する第2強磁性層232とを有する記憶層23、第1強磁性層231と第2強磁性層232とを分離する非磁性の接合層233、自由なセンス磁化方向を呈するセンス層21、及びこのセンス層とこの記憶層との間に挿入されたトンネル障壁層22から構成されていて、記憶層23とセンス層21との間の双極子カップリングが、ほぼ零であるように、第1強磁性層231と第2強磁性層232とが配置されている。スピン分極電流を磁気トンネル接合2中に通電することによって第2強磁性磁化方向235を切り替えることから成り、スピン分極電流31が、センス層21中に通電するときに、センス磁化方向の方向に応じて分極される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁気トンネル接合を有する自己参照磁気ランダムアクセスメモリセルに書き込むための方法であって、前記磁気トンネル接合が、第1記憶磁化方向を呈する第1強磁性層と第2記憶磁化方向を呈する第2強磁性層とを有する記憶層、この第1強磁性層とこの第2強磁性層とを分離する非磁性の接合層、自由なセンス磁化方向を呈するセンス層、及びこのセンス層とこの記憶層との間に挿入されたトンネル障壁層から構成されていて、前記記憶層と前記センス層との間の双極子カップリングが、ほぼ零であるように、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層とが配置されている当該方法において、当該方法は、スピン分極電流を前記磁気トンネル接合中に通電することによって当該第2強磁性磁化方向を切り替えることから成り、当該スピン分極電流が、前記センス層中に通電するときに、前記センス磁化方向の方向に応じて分極される当該方法。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (5件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , G11C11/15 140 , G11C11/15 150

Fターム (21件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119CC02 , 4M119CC05 , 4M119CC06 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD25 , 4M119EE04 , 5F092AA01 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD24 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BC03 , 5F092BC07 , 5F092BC42

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気メモリ、磁気メモリアレイおよび磁気メモリアレイへの情報書込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-262348 出願人：株式会社日立製作所
自己参照磁気ランダムアクセスメモリセル
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-157848 出願人：クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-387331 出願人：ソニー株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

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