特許
J-GLOBAL ID：201303047627886998
発光ダイオード装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
あいわ特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-072810
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153197
出願日： 2013年03月29日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：
【課題】発光ダイオード装置の製造方法の提供。【解決手段】基板1表面にn型GaN層2を成長させ、n型GaN層2表面に酸化けい素3を成長させ且つリソグラフィー工程によりメサ領域のn型GaN層2を露出させ、さらにメサ領域にMOCVDで発光ダイオード構造を成長させ、選択的領域成長した窒化ガリウムエピタキシャル層の特性により、pn同面を具えた構造となし、この構造の上に電極7、8を製作して発光ダイオード装置となす。本発明はエッチング不要でpn同面の構造を完成し、GaN発光ダイオード装置の製造を簡易化し、並びにエッチングによるエッチング深さ不均一や表面が過度に粗くなったり、エッチング損傷による電性不良及び漏電電流の問題を回避する。また、酸化けい素が拡散層とされてその拡散効果により、発光層より射出される光がこの拡散層の拡散により光線経路を改変して内部全反射を減らし、良好な発光効率を達成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光ダイオード装置の製造方法において、
第1半導体層を基板の上に形成し、
隔離層を該第1半導体層の上に形成し、
該隔離層の一部領域を除去し、該第1半導体層の一部を露出させ、
発光ダイオード構造を該隔離層の前のステップで除去された一部領域に形成し、
該第1半導体層上のその他の該隔離層を除去し、半導体層をエッチングすることなく、該第1半導体層の別の部分を露出させ、
オームコンタクト電極を、半導体層をエッチングすることなく、露出した該第1半導体層上に形成し、
以上のステップを包含することを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F141AA03
, 5F141AA41
, 5F141CA05
, 5F141CA12
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA74
, 5F141CA75
, 5F141CA92
, 5F141CB11
, 5F141CB36
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (11件)
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