特許
J-GLOBAL ID：200903037360650304
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
辰巳 忠宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-030529
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214750
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 発光強度および信頼性が高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造することができる、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板11上に、GaNバッファ層12および基板側コンタクト層14を形成した後、基板側コンタクト層14上に開口部15を有する成長防止層16を形成する。その後、開口部15によって露出した基板側コンタクト層14上に、活性層24を含む半導体層18〜30を積層する。続いて、成長防止層16を除去することによって基板側電極形成領域32aおよび32bを形成し、表面側コンタクト層30上にp側電極34、基板側コンタクト層14上にn側電極36を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上または前記基板上に形成された半導体層上に基板側コンタクト層を形成する第1の工程と、前記基板側コンタクト層上の一部に活性層を含む複数の半導体層を形成する第2の工程とを含む窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、前記第2の工程は、前記基板側コンタクト層上の一部に成長防止層を形成する工程と、前記成長防止層が形成されていない前記基板側コンタクト層上に前記活性層を含む複数の半導体層を積層する工程と、前記成長防止層を除去する工程とを、含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 3/18
