特許
J-GLOBAL ID：201303048382064284

レジスト組成物及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
大橋 正樹

大橋 正樹 について

, 
提箸 正義

提箸 正義 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-124978
公開番号（公開出願番号）：特開2013-250431
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
【解決手段】カルボキシル基及び/又はヒドロキシ基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位を有する高分子化合物と、式(1)のスルホニウム塩を含有するレジスト組成物。(R1、R2はアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、オキソアルケニル基、アリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基、R3はアルキレン基、R4は水素原子又は酸不安定基、R5は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシロキシ基、カルボニルアルキル基、ニトロ基、シアノ基又はハロゲン原子。M-は非求核性対向イオン。Arをかこむ円はアリーレン基、mは1〜4の整数。)【効果】上記スルホニウム塩を含むフォトレジスト膜は、溶解コントラストが高いために、アルカリ現像におけるポジパターン及び有機溶剤現像におけるネガパターンに優れた解像性と広いフォーカスマージンを有し、LWRが小さい特徴を有する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
カルボキシル基及び/又はヒドロキシ基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位を有する重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物と、下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩を含有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C08K 5/36 ,  C08L 101/06 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  C08K5/36 ,  C08L101/06 ,  H01L21/30 502R
Fターム (78件)：
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF32P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF43P ,  2H125AF45P ,  2H125AF53P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH13 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ04Y ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ23X ,  2H125AJ24Y ,  2H125AJ26X ,  2H125AJ35Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ68Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ70Y ,  2H125AJ74Y ,  2H125AJ78Y ,  2H125AJ84X ,  2H125AJ84Y ,  2H125AL02 ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM22N ,  2H125AM23P ,  2H125AM27P ,  2H125AM99N ,  2H125AN11N ,  2H125AN31N ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN63N ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01N ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08P ,  2H125CD37 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J002BG071 ,  4J002BG081 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002EW176 ,  4J002GP03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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