半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：速水進治 , 天城聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-273229
公開番号（公開出願番号）：特開2013-125826
出願日： 2011年12月14日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：

【課題】同一の配線層に互いに異なる半導体層を有するトランジスタを形成する場合において、2つの半導体層が接触することを防止する。【解決手段】層間絶縁膜124を形成する。次いで層間絶縁膜124に、第1ゲート電極210及び第2ゲート電極310を埋め込む。次いで、層間絶縁膜124上、第1ゲート電極210上、及び第2ゲート電極310上に、拡散防止膜142を形成する。次いで、第1ゲート電極210上の拡散防止膜142上に、第1半導体層230を形成する。次いで、第1半導体層230の上面上及び側面上、ならびに拡散防止膜142上に、被覆絶縁膜146を形成する。次いで、被覆絶縁膜146上に半導体膜334を形成する。ついで、半導体膜334を選択的に除去して第2ゲート電極上に位置する部分を残すことにより、第2半導体層330を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1配線層、及び前記第1配線層上に位置する第2配線層を含む多層配線層と、前記第1配線層を用いて形成された第1トランジスタ及び第2トランジスタと、を備え、前記第1トランジスタは、前記第1配線層に埋め込まれた第1ゲート電極と、前記第1ゲート電極上に位置する第1ゲート絶縁膜と、前記第1ゲート絶縁膜上に位置する第1半導体層と、前記第2配線層の下に位置し、前記第1半導体層の上面及び側面を覆う被覆絶縁膜と、を備え、前記第2トランジスタは、前記第1配線層に埋め込まれた第2ゲート電極と、前記第2ゲート電極上に位置する第2ゲート絶縁膜と、前記第2ゲート絶縁膜上に位置し、少なくとも一部が前記被覆絶縁膜より上に位置しており、前記第1半導体層とは異なる材料からなる第2半導体層と、を備える半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 23/522 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/08 , H01L 27/092

FI (13件)：

H01L27/08 102C , H01L21/88 Z , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L29/78 617U , H01L29/78 613Z , H01L29/78 619A , H01L29/78 617T , H01L29/78 617M , H01L27/08 331E , H01L27/08 321D , H01L27/08 102E , H01L27/08 102D

Fターム (125件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD86 , 4M104DD89 , 4M104FF02 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F033GG01 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033UU01 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX00 , 5F033XX28 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB03 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F048BD10 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF15 , 5F048BG05 , 5F048BG11 , 5F048CB01 , 5F048CB04 , 5F110AA04 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ11 , 5F110HL14 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL27 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN74 , 5F110NN78

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-318098 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-192222 出願人：シャープ株式会社
銅ニッケル及びガリウム-スズ-亜鉛-銅-チタンのp型及びn型酸化物に基づく電子半導体デバイス、周辺機器及びその製造工程
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-549027 出願人：ユニベルシダデノバデリスボア

前のページに戻る